в чем измеряется крутизна транзистора

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Ток стока в рабочей точке можно определить по следующей формуле [2]:

Уравнение (1) является приближенным для характеристики передачи любого полевого транзистора (особенно с малыми напряжениями отсечки).

Крутизна полевых транзисторов

Максимальное значение крутизны характеристики S_макс достигается при U_з.и=0. При этом численное значение S_макс равно проводимости канала полевого транзистора при нулевых смещениях на его электродах.

Крутизна характеристики полевых транзисторов на 1-2 порядка меньше, чем у биполярных транзисторов, поэтому при малых сопротивлениях нагрузки коэффициент усиления каскада на полевом транзисторе меньше коэффициента усиления аналогичного каскада на биполярном транзисторе.

В большинстве случаев крутизну характеристики полевых транзисторов считают частотно-независимым параметром. Поэтому быстродействие электронных схем на полевых транзисторах ограничено в основном паразитными параметрами схемы.

Выражение для крутизны характеристики в рабочей точке ПТ получим, используя (1):

(2)

(3)

Соотношение (3) позволяет по двум известным параметрам рассчитать третий.

Пробой не приводит к выходу из строя ПТ с управляющим р-n-переходом, если при этом рассеиваемая мощность не превышает допустимой. После пробоя в нормальном рабочем режиме эти транзисторы восстанавливают свою работоспособность. Это свойство транзисторов с p-n-переходом даёт им известное преимущество перед МОП-транзисторами, у которых пробой однозначно приводит к выходу прибора из строя.

Однако необходимо оговориться, что и для ПТ с р-n-переходом пробой не всегда безвреден. Степень его влияния на параметры транзистора определяется значением и продолжительностью действия тока, протекающего при этом через затвор. Так, в результате пробоя может увеличиться ток утечки затвора в нормальном режиме [7].

Динамическое сопротивление канала r_к определяется выражением

Это сопротивление при U_с.и = 0 и произвольном смещении U_з.и можно выразить через параметры транзистора [2]:

(4)

При малом напряжении сток-исток вблизи начала координат ПТ ведёт себя как переменное омическое сопротивление, зависящее от напряжения на затворе. Это остаётся справедливым даже в случае изменения полярности напряжения стока (см. рис. 4); необходимо только, чтобы напряжение на затворе было больше, чем на стоке [5].

Зависимости сопротивления канала ПТ от напряжения на затворе

Минимальное значение сопротивления канала r_к0 наблюдается при U_з.и = 0: при увеличении обратного напряжения на затворе сопротивление канала нелинейно увеличивается (см. рис. 10). Значение r_к0 определяется по стоковой характеристике транзистора как тангенс угла наклона касательной к кривой I_с=f(U_с) при U_з.и = 0 в точке U_с.и=0.

Для приближенных расчётов имеет место простое соотношение

Источник

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Ток стока в рабочей точке можно определить по следующей формуле [2]:

Уравнение (1) является приближенным для характеристики передачи любого полевого транзистора (особенно с малыми напряжениями отсечки).

Крутизна полевых транзисторов

Максимальное значение крутизны характеристики S_макс достигается при U_з.и=0. При этом численное значение S_макс равно проводимости канала полевого транзистора при нулевых смещениях на его электродах.

Крутизна характеристики полевых транзисторов на 1-2 порядка меньше, чем у биполярных транзисторов, поэтому при малых сопротивлениях нагрузки коэффициент усиления каскада на полевом транзисторе меньше коэффициента усиления аналогичного каскада на биполярном транзисторе.

В большинстве случаев крутизну характеристики полевых транзисторов считают частотно-независимым параметром. Поэтому быстродействие электронных схем на полевых транзисторах ограничено в основном паразитными параметрами схемы.

Выражение для крутизны характеристики в рабочей точке ПТ получим, используя (1):

(2)

(3)

Соотношение (3) позволяет по двум известным параметрам рассчитать третий.

Пробой не приводит к выходу из строя ПТ с управляющим р-n-переходом, если при этом рассеиваемая мощность не превышает допустимой. После пробоя в нормальном рабочем режиме эти транзисторы восстанавливают свою работоспособность. Это свойство транзисторов с p-n-переходом даёт им известное преимущество перед МОП-транзисторами, у которых пробой однозначно приводит к выходу прибора из строя.

Однако необходимо оговориться, что и для ПТ с р-n-переходом пробой не всегда безвреден. Степень его влияния на параметры транзистора определяется значением и продолжительностью действия тока, протекающего при этом через затвор. Так, в результате пробоя может увеличиться ток утечки затвора в нормальном режиме [7].

Динамическое сопротивление канала r_к определяется выражением

Это сопротивление при U_с.и = 0 и произвольном смещении U_з.и можно выразить через параметры транзистора [2]:

(4)

При малом напряжении сток-исток вблизи начала координат ПТ ведёт себя как переменное омическое сопротивление, зависящее от напряжения на затворе. Это остаётся справедливым даже в случае изменения полярности напряжения стока (см. рис. 4); необходимо только, чтобы напряжение на затворе было больше, чем на стоке [5].

Источник

От редакции РЛ

Издательство Наука и Техника предложило для ознакомления несколько глав из только что вышедшей книги С. А. Гаврилова «Искусство схемотехники. Просто о сложном».

Сегодня Радиолоцман предлагает вниманию читателей первую главу.

Заказать книгу можно в интернет-магазине издательства

Книга является путеводителем для радиолюбителя и начинающего разработчика в мир создания электронных схем на полупроводниковых элементах. Глубина рассмотрения сочетается с предельной доступностью, использованием наиболее простых и «прозрачных» методов синтеза схем и их анализа. Выдержан принцип пошагового рассмотрения – от простого к сложному.

Радиолюбителям эта уникальная книга поможет перейти от слепого копирования схем к созданию собственных конструкций. Создаются и сравниваются аналогичные конструкции на различной элементной базе.

Содержится интересный разбор частых заблуждений и ошибок, много полезного материала из практики разработчиков электронных схем.

Книга предназначена для радиолюбителей и начинающих разработчиков. В ряде случаев книга будет полезна профессиональным разработчикам и студентам радиотехнических специальностей: изложение ведется на достаточно серьезном уровне.

1.1 Транзисторы и их модели

Характеристики транзисторов

Начало промышленного выпуска плоскостных полупроводниковых триодов приходится на середину 50-х годов прошлого века. Тогдашним радиоинженерам, привыкшим работать с электронными лампами, новый усилительный прибор казался как бы «ухудшенной радиолампой».

Дело в том, что и принципы построения схемных конфигураций, и методы расчетов – по инерции оставались пронизанными «ламповым подходом», предполагавшим относительно надежное знание характеристик активного прибора. Вы и сами наверняка встречали в литературе методики расчетов транзисторных каскадов, связанные с отысканием рабочих точек на кривых, построением к ним касательных, и прочим подобным… В этой книге ничего такого не будет.

Аннотация издательства Наука и Техника

Плохо то, что кривые оказываются недостоверными, характеристики – нестабильными, в итоге весь расчет – блефом.

Если вы в них всмотритесь, то убедитесь, что все они похожи как две капли воды. Вполне достаточно иметь представление о типичной характеристике биполярного транзистора. Ей-то мы сейчас и займемся. Не забывая, что характеристику нельзя рассматривать как «точную».

Секрет состоит в непревзойденных свойствах обычного (так называемого биполярного) транзистора. А именно: характерные его сопротивления оказываются либо значительно меньше, либо значительно больше типичных величин пассивных сопротивлений схемы.

Это дает возможность использовать очень простые, но достаточно адекватные модели активных приборов. Эффективность применения таких моделей связана с особым подходом к расчету, когда анализ схемы проводят не со входа, а с выхода, ориентируясь на «конечный результат».

Совершенно верно. Точно так же, как в вашем примере, использование таких моделей предполагает построение схемных конфигураций, основные параметры которых мало зависят от характеристик активных элементов.

Этому же способствует отказ от привычки «экономить» транзисторы (как когда-то лампы).

Верно. Ну а количество активных элементов на кристалле интегральной схемы, как вы понимаете, вообще не имеет существенного значения.

Биполярный транзистор

Перед нами важнейшие характеристики типичного маломощного кремниевого транзистора: характеристика прямой передачи (рис. 1.1) и семейство выходных характеристик – при заданном токе эмиттера (рис. 1.2) и при заданном напряжении база-эмиттер (рис. 1.3). Отметим главное.

Рис. 1.1. Типичное напряжение между базой и эмиттером – около 0.7 В

Рис. 1.2. Ток коллектора практически равен току эмиттера

Рис. 1.3.	При UКЭ, близком к нулю, усилительные свойства теряются

При тех значениях тока коллектора I_К, которые являются допустимыми для конкретного прибора, напряжение между базой и эмиттером транзистора (а оно-то и служит управляющим) почти всегда должно находиться в пределах 0..6…0.7 В.

Крутизна прямой передачи биполярного транзистора S = ΔI_К / ΔU_БЭ очень велика (десятки и сотни мА/В), это хорошо видно по рис. 1.1.

Выходное сопротивление транзистора (см. рис 1.2) при заданном эмиттерном токе – ΔU_КБ / ΔI_К очень велико – не менее 1 МОм.

Усилительные свойства транзистора сохраняются при снижении напряжения между коллектором и базой I_КБ до нуля (и даже чуть ниже – см. рис. 1.2).

Токи коллектора и эмиттера практически равны между собой. Точнее, они различаются на малую величину тока базы:

причем отношение I_К / I_Б представляет собой известный параметр транзистора – коэффициент передачи тока, обозначаемый h_21Э (можно также встретить и вариант обозначения β).

Крутизна прямой передачи

С достаточной степенью точности крутизна биполярного транзистора определяется током коллектора:

(I_К в миллиамперах, S – в миллиамперах на вольт). Фигурирующий здесь коэффициент 40 – это величина, обратная так называемому термическому потенциалу φ_Т, пропорциональному абсолютной температуре. И она потребует поправок, если температура кристалла отличается от «нормальной», при которой φ_Т = 25 мВ.

Вообще-то (1.2) является дифференциальным уравнением, из которого следует, что характеристика прямой передачи (зависимость I_К от U_БЭ) является экспоненциальной функцией. И это действительно верно для не слишком больших токов.

При токах I_К, близких к предельно допустимым для транзисторов данного типа, формула (1.2) дает завышенные значения. Причина – дополнительное падение напряжения от базового тока на омическом сопротивлении базы.

«Линейный участок» или иллюзия?

Не правда ли, кривые, наподобие изображенной на рис. 1.1, дают видимость наличия ясно выраженных участков: с большей кривизной (левее) и почти линей-ного (справа)?

Вот отсюда – ошибочные советы по «правильному выбору рабочей точки», при котором надо судить по визуально оцениваемой форме кривых.

Но достаточно изменить масштаб графика по оси токов, и прежняя экспонента просто сдвинется вправо или влево. Это сразу обнаружит иллюзорность выделения в характеристике транзистора специфических участков или каких-либо особых точек (например, «с максимальной кривизной – для лучшего детекти-рования»).

Такие вопросы решаются не столь легкомысленно, а на более серьезной основе, и мы это увидим в последующих главах.

Коэффициент передачи тока базы

Статическое значение параметра h_21Э, контролируемое на низких частотах, играет немалую роль при расчете схем. Завод-изготовитель, даже для нормальной температуры, дает на величину h_21Э весьма большой допуск (убедитесь в этом, заглянув в справочник).

Вот чтобы не оказаться в ситуации, когда спроектированная схема неработоспособна с некоторыми экземплярами транзисторов (вполне исправными!), расчет ведут всегда, ориентируясь на наихудшее для данного случая значение коэффициента передачи тока h_21Э (для выбранного типа прибора и классификационной группы).

Почему же? Смотря по содержанию расчета. Бывает и обратное.

Коэффициент передачи тока h_21Э зависит от величины коллекторного тока, но меньше, чем крутизна. Для маломощных транзисторов этот параметр чаще всего имеет максимум в диапазоне токов 5…20 мА, но заметный спад его начинается лишь при I_К менее 0.5…1 мА. Поэтому не сделает большой ошибки тот, кто будет ориентироваться на значение h_21Э, взятое из паспортных данных (приведенных, конечно, для определенного I_К, может быть, вовсе не того, на которое производится расчет).

Германиевые транзисторы

Все, сказанное выше о кремниевых приборах, по большей части относится и к германиевым.

Так и есть – по ряду причин (которые станут ясны в свое время). Пока следует лишь указать, что усилительный режим германиевых транзисторов соответствует меньшим напряжениям U_БЭ (0.15…0.2 В).

Полевые транзисторы

Они, в отличие от биполярных, во многом напоминают электронные лампы. Не обладая высокой крутизной, они в некоторых случаях являются удачным дополнением биполярных приборов, если надо, например, обеспечить высокое входное сопротивление каскада. Ведь ток затвора полевого транзистора практически равен нулю.

На рис. 1.4 представлена типичная характеристика прямой передачи транзистора с управляющим p-n переходом и каналом n-типа (2П302А). Рабочая область напряжений на затворе в усилительном режиме простирается от напряжения отсечки U_ОТС, при котором ток стока падает практически до нуля, до примерно +0.5 В (большее напряжение U_ЗИ подавать нельзя: открывается переход затвор-канал и работа транзистора нарушается).

Подобную же характеристику имеет и полевой МДП (или МОП, в зарубежной литературе – MOSFET) транзистор со встроенным каналом n-типа (например, 2П305А). Только в этом случае она продолжается также и в область положительных напряжений на затворе – ведь здесь затвор полностью изолирован от канала.

Рис. 1.4. Полевой транзистор «с обеднением» при нулевом напряжении на входе открыт

Рис. 1.5. Транзистор «с обогащением» открывается при напряжении, превышающем пороговое

Транзисторы, которые при U_ЗИ = 0 открыты, относят к приборам «с обеднением». А на рис. 1.5 изображена стоко-затворная характеристика транзистора «с обогащением» – полевого МОП прибора (2П304А). Он имеет индуцированный канал p-типа, который открыт лишь тогда, когда напряжение затвор-исток превышает по абсолютной величине пороговое U_ПОР, на графике это примерно 3.7 В. Данные о пороговых напряжениях (и напряжениях отсечки) всегда можно найти в паспортах на полевые приборы.

Ранее мы видели, что биполярный транзистор сохраняет усилительные свойства при снижении напряжения между коллектором и эмиттером до десятых долей вольта. В противоположность им, полевые приборы требуют для эффективной работы в усилитель-ных каскадах определенного напряжения на стоке:

Проследите по стоковой вольтамперной характеристике (рис. 1.6), что при несоблюдении этого условия рабочая точка оказывается на участке характеристики, где крутизна и выходное сопротивление резко падают.

Рис. 1.6.	На крутом участке характеристики усилительные свойства полевого транзистора падают

Крутизна полевого транзистора

В паспорте на полевой транзистор вы найдете значение крутизны прямой передачи

гарантированное заводом-изготовителем для определенного тока стока (например, для I_С = 10 мА).

Несложно дать оценку крутизны, зная, что она изменяется пропорционально квадратному корню из тока: ведь характеристика прямой передачи здесь – парабола. Пусть при I_С = 10 мА крутизна составляет 5 мА/В. Тогда для I_С = 2 мА получаем – сколько?

Радиолюбитель:

Думаю, что посчитать можно так: .

Верно. Иногда для аналогичных расчетов удобнее бывает учитывать, что от напряжения затвор-исток крутизна зависит линейно, снижаясь до нуля при напряжении отсечки.

Увы, такова специфика вольтамперных характеристик и параметров полевых приборов. Эту разницу мы почувствуем немедленно: стоит лишь обратиться к анализу задачи стабилизации режима активного прибора.

Продолжение читайте здесь

Источник